FZ800R12KE3HOSA1
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Infineon Technologies FZ800R12KE3HOSA1
| Artikelnummer: | FZ800R12KE3HOSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MOD 1200V 800A 3550W |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies FZ800R12KE3HOSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FZ800R12KE3HOSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A Supplier Device-Gehäuse Module Serie C Leistung - max 3550 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) NTC-Thermistor No Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 56 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Strom - Collector Cutoff (Max) 5 mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 A Konfiguration Single Grundproduktnummer FZ800R12 FZ800R12KE3HOSA1 Einzelheiten PDF [English] FZ800R12KE3HOSA1 PDF - EN.pdf -
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